[논문]
저자
이상훈, 권세훈, 노원태, 서승기, 이우재, 오일권, 김형준,
제목Role of a surface hydroxyl group depending on growth temperature in atomic layer deposition of ternary oxides
저널
, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A
볼륨
번호
페이지
, pp.062402
-062410
(Oct, 2023)
[논문]
저자
Asir Intisar Khan, Eric Pop, H.-S. Phillip Wong, Shenjun Qin, Stacey F. Bent, 이유진, 오일권,
제목Area-Selective Atomic Layer Deposition for Resistive Random-Access Memory Devices
저널
, ACS Applied Materials & Interfaces
볼륨
번호
페이지
, pp.43087
-43093
(Sep, 2023)
[논문]
저자
Hayrensa Ablat, 오일권, Nathaniel E. Richey, Solomon T. Oyakhire, Wenbo Zhang, William Huang, Yi Cui, Yufei Yang, Stacey F. Bent,
제목Molecular Layer Deposition of Organic−Inorganic Hafnium Oxynitride Hybrid Films for Electrochemical Applications
저널
, ACS Applied Energy Materials
볼륨
번호
페이지
, pp.5806
-5816
(May, 2023)
[논문]
저자
김강식, 김우희, 김형준, 이유진, 이종훈, 이한보람, 이홍섭, 오일권,
제목Dysprosium Incorporation for Phase Stabilization of Atomic-Layer-Deposited HfO2 Thin Films
저널
, CHEMISTRY OF MATERIALS
볼륨
번호
페이지
, pp.2312
-2320
(Mar, 2023)
[논문]
저자
최애림, 김도희, 김세연, 류승욱, 서승기, 이우재, 오일권,
제목Reaction mechanism and film properties of the atomic layer deposition ofZrO2 thin films with a heteroleptic CpZr(N(CH3)2)3 precursor
저널
, APPLIED SURFACE SCIENCE
볼륨
번호
페이지
, pp.157104
-157112
(Jan, 2023)
국제학술논문지
[논문]
저자
이상훈, 권세훈, 노원태, 서승기, 이우재, 오일권, 김형준,
제목Role of a surface hydroxyl group depending on growth temperature in atomic layer deposition of ternary oxides
저널
, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A
볼륨
번호
페이지
, pp.062402
-062410
(Oct, 2023)
[논문]
저자
Asir Intisar Khan, Eric Pop, H.-S. Phillip Wong, Shenjun Qin, Stacey F. Bent, 이유진, 오일권,
제목Area-Selective Atomic Layer Deposition for Resistive Random-Access Memory Devices
저널
, ACS Applied Materials & Interfaces
볼륨
번호
페이지
, pp.43087
-43093
(Sep, 2023)
[논문]
저자
Hayrensa Ablat, 오일권, Nathaniel E. Richey, Solomon T. Oyakhire, Wenbo Zhang, William Huang, Yi Cui, Yufei Yang, Stacey F. Bent,
제목Molecular Layer Deposition of Organic−Inorganic Hafnium Oxynitride Hybrid Films for Electrochemical Applications
저널
, ACS Applied Energy Materials
볼륨
번호
페이지
, pp.5806
-5816
(May, 2023)
[논문]
저자
김강식, 김우희, 김형준, 이유진, 이종훈, 이한보람, 이홍섭, 오일권,
제목Dysprosium Incorporation for Phase Stabilization of Atomic-Layer-Deposited HfO2 Thin Films
저널
, CHEMISTRY OF MATERIALS
볼륨
번호
페이지
, pp.2312
-2320
(Mar, 2023)
[논문]
저자
최애림, 김도희, 김세연, 류승욱, 서승기, 이우재, 오일권,
제목Reaction mechanism and film properties of the atomic layer deposition ofZrO2 thin films with a heteroleptic CpZr(N(CH3)2)3 precursor
저널
, APPLIED SURFACE SCIENCE
볼륨
번호
페이지
, pp.157104
-157112
(Jan, 2023)
[논문]
저자
Asir Intisar Khan, 오일권, 원병준, Christopher Perez, H-S Philip Wong, Heungdong Kwon, Kangsik Kim, Kenneth E Goodson, Krishna Saraswat, Maryann C Tung, Mehdi Asheghi, Pranav Ramesh, Xiangjin Wu, Zonghoon Lee, Eric Pop,
제목Unveiling the effect of superlattice interfaces and intermixing on phase change memory performance
저널
, NANO LETTERS
볼륨
번호
페이지
, pp.6285
-6291
(Jul, 2022)
[논문]
저자
Asir Intisar Khan, 오일권, 원병준, Christopher Perez, H.-S. Philip Wong, Kathryn M. Neilson, Kenneth E. Goodson, Krishna Saraswat, Mehdi Asheghi, Pranav Ramesh, Xiangjin Wu, 권흥동, 김강식, 이종훈, Eric Pop,
제목First Demonstration of Ge2Sb2Te5-Based Superlattice Phase Change Memory withLow Reset Current Density (~3 MA/cm2) and Low Resistance Drift (~0.002 at 105ºC)
저널
, Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology
볼륨
번호
페이지
, pp.310
-311
(Jun, 2022)
[논문]
저자
오일권, Chi Thang Nguyen, Nathaniel E. Richey, Ralf Tonner, Stacey Bent, Tania E. Sandoval, Tzu-Ling Liu, 구본욱, 이한보람,
제목Elucidating the Reaction Mechanism of Atomic Layer Deposition of Al2O3 with a Series of Al(CH3)xCl3–x and Al(CyH2y+1)3 Precursors
저널
, Journal of the American Chemical Society
볼륨
번호
페이지
, pp.11757
-11766
(Jun, 2022)
[논문]
저자
Josiah Yarbrough, 오일권, Daniel Grigianis, Fabian Pieck, Patrick Maue, Ralf Tonner, Stacey Bent,
제목Tuning Molecular Inhibitors and Aluminum Precursors for the Area-Selective Atomic Layer Deposition of Al2O3
저널
, CHEMISTRY OF MATERIALS
볼륨
번호
페이지
, pp.4646
-4659
(May, 2022)
[논문]
저자
이유진, 오일권, 김형준, 남태욱, 서승기, 서진형, 석장현, 선상규, 송봉근, 윤휘, 이상훈, 이현호,
제목Growth mechanism and electrical properties of tungsten films deposited byplasma-enhanced atomic layer deposition with chloride and metalorganic precursors
저널
, APPLIED SURFACE SCIENCE
볼륨
번호
페이지
, pp.150939
-150945
(Aug, 2021)
[논문]
저자
우황제, 오일권, 김미소, 김형준, 서승기, 송봉근, 윤휘, 이유진, 정승민,
제목Reaction Mechanisms of Non-hydrolytic Atomic Layer Deposition ofAl2O3 with a Series of Alcohol Oxidants
저널
, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
볼륨
번호
페이지
, pp.18151
-18160
(Aug, 2021)
[논문]
저자
이우재, 오일권, Susanta Bera, 배종성, 안정원, 우현재, 권세훈,
제목Controllable size and crystallinity of Runanoparticles on a carbon support synthesized byfluidized bed reactor-atomic layer deposition forenhanced hydrogen oxidation activity
저널
, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C
볼륨
번호
페이지
, pp.17223
-17230
(Jun, 2021)
[논문]
저자
오일권, Nathaniel E. Richey,, Stacey F. Bent, Tania E. Sandoval, Tzu-Ling Liu,,
제목Role of Precursor Choice on Area-Selective Atomic Layer Deposition
저널
, CHEMISTRY OF MATERIALS
볼륨
번호
페이지
, pp.3926
-3935
(May, 2021)
[논문]
저자
Houda Gaiji, Rizwan Khan, Sumaira Yasmeen, 문찬휘, 신상우, 윤재홍, 이한보람, 오일권,
제목Self-Formation of Superhydrophobic Surfaces through InterfacialEnergy Engineering between Liquids and Particles
저널
, LANGMUIR
볼륨
번호
페이지
, pp.5356
-5363
(Apr, 2021)
[논문]
저자
이유진, 오일권, 김현재, 김형준, 김호진, 남태욱, 서승기, 양준영, 유충근, 유혁준, 윤휘, 이청훤, 임성일, 최동욱, 최원준,
제목Hydrogen Barriers Based on Chemical Trapping Using ChemicallyModulated Al2O3 Grown by Atomic Layer Deposition for InGaZnOThin-Film Transistors
저널
, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
볼륨
번호
페이지
, pp.20349
-20360
(Apr, 2021)
[논문]
저자
Xiaoyun Yu, 오일권, Dara Semple, Richard G Closser, Stacey Bent, Tzu-Ling Liu, William Trevillyan,
제목Area-Selective Molecular Layer Deposition of a Silicon Oxycarbide Low-k Dielectric
저널
, CHEMISTRY OF MATERIALS
볼륨
번호
페이지
, pp.902
-909
(Feb, 2021)
국제학술발표
[학술회의]
저자
오일권, 김형근,
제목Improved Leakage Currents of ALD ZrO2 by Controlling Surface Reaction with Plasma Source
저널
, AVS Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2022)
볼륨
번호
페이지
(Dec, 2022)
[학술회의]
저자
이민정, 오일권, 임동현,
제목Study on the Reduction of Leakage Currents for Atomic Layer Deposition HfO2 Thin Films
저널
, KISM 2022
볼륨
번호
페이지
(Nov, 2022)
[학술회의]
저자
오일권,
제목Study on Area-Selective Atomic Layer Deposition of Al2O3 with a Series of Al Precursors,
저널
, AVS 22nd International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2022)
볼륨
번호
페이지
(Jun, 2022)
[학술회의]
저자
오일권,
제목Selective Pattern Fabrication by AS-ALD for Semiconductor Devices
저널
, International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia 2021
볼륨
번호
페이지
(Oct, 2021)
[학술회의]
저자
오일권,
제목Reaction Mechanism of Area-Selective Deposition for Advanced Device Fabrication
저널
, Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
볼륨
번호
페이지
(Aug, 2021)
국내학술발표
[학술회의]
저자
오근하, 오일권,
제목Bi-layered ZrO2/Y2O3 Structure for Ge-Based Devices Grown by Atomic LayerDeposition
저널
, 반도체학술대회
볼륨
번호
페이지
(Jan, 2022)
[학술회의]
저자
원병준, 오일권, 오근하,
제목The Effect of Al2O3 Passivation Layer between ZrO2/Ge Substrate Depending onAnnealing Temperature
저널
, 반도체학술대회
볼륨
번호
페이지
(Jan, 2022)
[학술회의]
저자
송채영, 오일권, 최애림,
제목Area-Selective Atomic Layer Deposition of HfO2 for RRAM Device Fabrication
저널
, 반도체학술대회
볼륨
번호
페이지
(Jan, 2022)
[학술회의]
저자
오일권, 황진석,
제목The Effect of Post-depositing Annealing on the Electrical PropertiesZrO2/Al2O3/ZrO2 Thin Films
저널
, 반도체학술대회
볼륨
번호
페이지
(Jan, 2022)
[학술회의]
저자
오일권,
제목Fundamentals of Bottom-up Fabrication of Selective Patterns forSemiconductor Devices
저널
, 반도체학술대회
볼륨
번호
페이지
(Jan, 2022)
[학술회의]
저자
오일권,
제목선택적 영역 원자층 증착법을 위한 표면반응 메커니즘: Al2O3 case 연구
저널
, Korean Surface Engineering conference
볼륨
번호
페이지
(Jun, 2021)
특허 및 기타
[특허]
저자
오일권,
비저항 역행 원자층 증착 토폴로지 반금속
출원등록구분(출원 or 등록 )
(출원)
번호(출원번호 or 등록번호)
(10-2024-0018072)
출원국
(Feb, 2024)
[특허]
저자
오일권, 강혜주, 신소연,
액체질량유량제어기 테스트장치
출원등록구분(출원 or 등록 )
(출원)
번호(출원번호 or 등록번호)
(10-2024-0000743)
출원국
(Jan, 2024)
[특허]
저자
오일권, 임동현,
PN형 반도체 형성 방법
출원등록구분(출원 or 등록 )
(출원)
번호(출원번호 or 등록번호)
(10-2023-0177991)
출원국
(Dec, 2023)
[특허]
저자
오일권, 정이지,
주석 산화물 형성 방법
출원등록구분(출원 or 등록 )
(출원)
번호(출원번호 or 등록번호)
(10-2023-0177989)
출원국
(Dec, 2023)
[특허]
저자
오일권,
디스프로슘이 도핑된 하프늄 옥사이드 박막 및 이의 제조 방법
출원등록구분(출원 or 등록 )
(출원)
번호(출원번호 or 등록번호)
(10-2023-0170871)
출원국
(Nov, 2023)
[특허]
저자
오일권, 원병준, 이민정,
원자층 증착을 이용한 절연막 형성 방법
출원등록구분(출원 or 등록 )
(출원)
번호(출원번호 or 등록번호)
(10-2023-0079932)
출원국
(Jun, 2023)
[특허]
저자
오일권,
캐패시터 및 캐패시터의 제조 방법
출원등록구분(출원 or 등록 )
(출원)
번호(출원번호 or 등록번호)
(10-2023-0018930)
출원국
(Feb, 2023)
[특허]
저자
오일권,
VHF를 이용한 PE-ALD 장치 및 방법
출원등록구분(출원 or 등록 )
(출원)
번호(출원번호 or 등록번호)
(18/090,242)
출원국
(R0420US)
(Dec, 2022)
[특허]
저자
오일권,
3차원 구조를 갖는 멤리스터 소자 및 그 제조방법
출원등록구분(출원 or 등록 )
(출원)
번호(출원번호 or 등록번호)
(10-2022-0172772)
출원국
(Dec, 2022)
[특허]
저자
오일권,
원자 분포 조절을 통한 극초박막의 결정성 제어
출원등록구분(출원 or 등록 )
(출원)
번호(출원번호 or 등록번호)
(10-2022-0164227)
출원국
(Nov, 2022)
[특허]
저자
오일권,
VHF를 이용한 PE-ALD 장치 및 방법
출원등록구분(출원 or 등록 )
(출원)
번호(출원번호 or 등록번호)
(10-2021-0189551)
출원국
(Dec, 2021)